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Differenzielle schnelle GlasSchaltdiode 1n4148 Durchsickern 35 TUN niedriges gegenwärtiges

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Differenzielle schnelle GlasSchaltdiode 1n4148 Durchsickern 35 TUN niedriges gegenwärtiges

Differenzielle schnelle GlasSchaltdiode 1n4148 Durchsickern 35 TUN niedriges gegenwärtiges
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Großes Bild :  Differenzielle schnelle GlasSchaltdiode 1n4148 Durchsickern 35 TUN niedriges gegenwärtiges

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: trusTec
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: 1N4148
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 5K PCS
Preis: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Verpackung Informationen: 5K PCS pro Munitions-Satz, 100K PCS pro Karton.
Lieferzeit: 10 Arbeitstagesfrische Produkte
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 800KK PCS pro Monat

Differenzielle schnelle GlasSchaltdiode 1n4148 Durchsickern 35 TUN niedriges gegenwärtiges

Beschreibung
Art: Schaltdiode Paket-Art: Durch Loch
Paket: Glas DO-35 Max. Sperrspannung: 100v
Max. Forward Current: 0.15A Max. Reverse Current: 5μA
Max. Vorwärtsspannung: 1V Anwendung: Hochfrequenzschalterstromversorgung
Markieren:

schnelle Schaltdiode 1n4148

,

Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1n4148

,

Schaltdiode 1n4148

Differenzielle schnelle GlasSchaltdiode 1n4148 Durchsickern 35 TUN niedriges gegenwärtiges
 
1N4148
HOCHGESCHWINDIGKEITSSchaltdioden
Sperrspannung - 100 Volt vorwärts gegenwärtig - 0,15 Ampere

 

Teilnummer. Paket
1N4148 Glas DO-35
LL4148 MINI-MELF
1N4148W SOD-123
1N4148WS SOD-323
1N4148WT SOD-523

 

Produktzeichnung

 

Differenzielle schnelle GlasSchaltdiode 1n4148 Durchsickern 35 TUN niedriges gegenwärtiges 0

 

MAXIMALLEISTUNGEN UND ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN
 
 
SYMBOLE
1N4148
EINHEITEN
 Maximale sich wiederholende Höchstsperrspannung
VRRM
100
VOLT
 Maximale Effektivwert-Spannung
VRMS
75
VOLT
 Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsrichtstrom 0,375" (9.5mm)   Führungslänge an TA=25 C
ICH (HANDELS)
150
mAmps
 Höchstvorwärtseinzelne halbe Sinuswelle der Überspannung 8.3ms   gelegt auf bewerteter Last (JEDEC-Methode)
IFSM
500
mAmps
 Maximale blitzschnelle Vorwärtsspannung an 10mA
VF
1,0
Volt
 Maximale DC-Rückseite gegenwärtiges TA=25 C VR=75V
 an bewerteter Blockierspannung TA=100 C VR=20V DCs
IR
5,0
50
µA
 Maximale Rückgenesungszeit (ANMERKUNG 1)
trr
4,0
ns
 Typische Kreuzungskapazitanz (ANMERKUNG 2)
CJ
4,0
PF
 Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich
TJ, TSTG
-65 bis +200

 

Bewertungen bei 25 umgebender Temperatur C wenn nicht anders angegeben.
Induktive Belastung des einphasigen Halbwellen-60Hz, widerstrebendes oder, für kapazitiven Lastsstrom setzen durch 20% herab.
 
ANMERKUNGEN:
Zustand 1.Test: IF=10mA, IR=10mA, Irr=1mA, VR=6V, RL=100Ω.
2.Measured bei 1,0 MHZ und angewandter Sperrspannung von 4,0 Volt
 
EIGENSCHAFTEN
Epitaxial- planare Diode des Silikons
Schaltdioden
Verlustleistung 500mw
Löten der hohen Temperatur garantiert
250 C/10 Sekunden, 0,375" (9.5mm) Führungslänge,
5 lbs. Spannung (2.3kg)
 
MECHANISCHE DATEN
Fall: Versiegelter Glasumschlag DO-35.
Anschlüsse: Überzogene Axialzuleitungen, solderable pro MIL-STD-750,
Methode 2026
Polarität: Farbband bezeichnet Kathodenende
Montageposition: Irgendwelche
Gewicht: 0,005 Unze, 0,14 Gramm (DO-35)
 
BEWERTUNGEN UND KENNLINIEN 1N4148
 
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Kontaktdaten
Changzhou Trustec Company Limited

Ansprechpartner: Ms. Selena Chai

Telefon: +86-13961191626

Faxen: 86-519-85109398

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